Surfscan^®

无图案晶圆缺陷检测系统

Surfscan^®SP7^XP无图案检测系统，识别影响先进储存与逻辑器件性能与可靠性的缺陷和表面品质问题。透过针对工具、制程与材料进行验证与建空，其支援包括用于EUV光子工具的集成电路、原始设备制造商、材料与基板制造。利用DUV雷射与出色的检测模式，Surfscan SP7^XP提供了先进节点研发所需的最佳灵敏度，并具备支援高产量制造的产出率。辅助的检测模式包括相位对比通道 (PCC)与正常照明 (NI)，可检测裸晶圆、光华与粗糙膜层，以及易碎的光刻胶和光刻堆叠得独特缺陷类型。基于图像的缺陷分类 (IBC) 利用了革命性的机器学习算法，加速根本故障原因定位，而Z7^™分类引勤则支援独特的3D NAND与厚膜应用。

Candela^® 8520

适用于化合物半导体材料的表面检测和光致发光系统

Candela^® 8520 第二代集成光致发光 (PL) 和表面缺陷检测系统专为碳化硅和氮化镓基片上的基片和外延缺陷而设计。它可以捕捉到形貌变化、表面反射率、相位变化和光致发光，从而对各种关键缺陷进行自动检测与分类。该系统采用专有光学技术，可同时测量两个入射角的散射强度。 Candela 8520 为氮化镓晶圆提供表面和光致发光瑕疵检测，对氮化镓位错、凹陷、孔洞进行检测和分类，用于氮化镓反应器的瑕疵控制。 功率应用包括碳化硅基透明晶圆检测和晶体瑕疵的分类，例如 BPD（基底平面位错）、微管、堆叠瑕疵、棒状堆叠瑕疵、微粒边界和线程位错。 形貌异常检测包括三角形检测、胡萝卜瑕疵、滴落物和划痕。

Candela^® 8720

适用于化合物半导体材料的表面检测和光致发光系统

Candela^® 8720 先进的集成表面瑕疵检测和光致发光 (PL) 瑕疵检测系统可检测各种关键任务基片和外延缺陷。 该系统采用专有光学技术，可同时测量两个入射角的散射强度。 它可以捕捉到形貌变化、表面反射率、相位变化和光致发光，从而对各种关键缺陷进行自动检测与分类。这种先进的表面缺陷检测系统应用于射频 (RF)、功率和高亮度发光二极管 (HBLED) 的氮化镓检测，能够检测裂缝、晶体位错、山丘、微凹陷、滑动线、凸点和六角形凸点，以及外延硅瑕疵。 Candela 8720 检测系统还可用于其他高端化合物半导体工艺材料的瑕疵检测，例如用于发光二极管 (LED)、VCSEL 和光子学应用的砷化镓 (GaAs) 和磷化铟 (InP)。

Candela^® 8420

化合物半导体材料的表面瑕疵检测

Candela^® 8420 表面瑕疵检测系统采用多通道检测和基于规则的瑕疵分类，可对不透明、半透明和透明晶圆（例如砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP)、钽酸锂、铌酸锂、玻璃、蓝宝石和其他化合物半导体材料）进行微粒和划痕检测。 这款表面瑕疵检测系统采用专有的OSA（光学表面分析仪）架构，可同时测量散射强度、形貌变化、表面反射率和相位变化，可对各种重要缺陷 (DOI) 进行自动检测和分类。 使用 Candela 8420 表面瑕疵检测系统，可在几分钟内实现全晶圆检测，可生成高分辨率成像和自动化检测报告，提供瑕疵分类和晶圆图。 与单通道技术相比，该机台的灵敏度更高。

Candela CS20R 配置采用了针对化合物半导体材料（包括光敏底片）的优化光学技术。

eDR7xxx™

电子束晶圆缺陷检视和分类系统

eDR7380™电子束晶圆缺陷检视和晶圆分类系统可以拍摄高分辨率的缺陷图像，从而精确反映晶圆上的缺陷群体状况。eDR7380内置多种电子光学元件和专用的镜头内探测器，对包括脆弱的EUV光刻层、高宽比沟槽层和电压对比层等在内的各个不同的制程步骤提供缺陷可视化支持。独特的Simul-6™技术可以通过一次测试生成完整的DOI（关注缺陷）柱状分部图，从而精确定位缺陷根源并迅速检测制程偏移。通过如宽光谱图案晶圆检测仪上的IAS™和裸片晶圆检测仪上的OptiSens™等连通功能，eDR7380为KLA检测设备提供了独特连接，以便在IC和晶圆制造制程中加速良率改进。

eDR^®是KLA 公司的注册商标。